Gallwch fod yn dawel eich meddwl i brynu taflen Silicon Carbide o'n ffatri a byddwn yn cynnig y gwasanaeth ôl-werthu gorau a darpariaeth amserol i chi. Ac wedi ennill ymddiriedaeth cwsmeriaid mewn llawer o wledydd gartref a thramor oherwydd eu manteision amlwg o ran ansawdd cynnyrch ac amser dosbarthu. Mae silicon carbid (SiC) yn ddeunydd ceramig ysgafn gyda phriodweddau cryfder uchel sy'n debyg i ddiamwnt. Mae gan Plât Silicon Carbide ddargludedd thermol rhagorol, ehangiad thermol isel, ac mae'n gallu gwrthsefyll cyrydiad o asidau.
Mae Silicon Carbide (SiC) yn adnabyddus am ei briodweddau rhagorol. Gyda chaledwch Mohs yn ail i ddiemwnt yn unig, SiC yw un o'r deunyddiau anoddaf ac mae ganddo wrthwynebiad gwisgo rhagorol. Mae ei ddargludedd thermol uchel yn caniatáu ar gyfer afradu gwres yn effeithlon, gan ei wneud yn ddelfrydol ar gyfer cymwysiadau tymheredd uchel. Yn ogystal, mae ymwrthedd cemegol carbid silicon yn sicrhau gwydnwch mewn amgylcheddau garw, tra bod ei sefydlogrwydd tymheredd uchel yn caniatáu iddo gynnal cryfder ac uniondeb o dan amodau eithafol. Mae SiC hefyd yn arddangos ehangiad thermol isel, gan leihau'r risg o rwyg oherwydd straen thermol. Yn ogystal, fel lled-ddargludydd, mae SiC yn werthfawr mewn cymwysiadau electronig, yn enwedig ar gyfer dyfeisiau foltedd uchel a thymheredd uchel, gan wella ei amlochredd a'i bwysigrwydd mewn technolegau uwch.

priodweddau taflen silicon carbid
|
Fformiwla Cyfansawdd |
SiC |
|
Pwysau Moleciwlaidd |
40.1 |
|
Ymddangosiad |
Taflenni |
|
Ymdoddbwynt |
N/A |
|
Berwbwynt |
N/A |
|
Dwysedd |
3.22 g/cm3 |
|
Hydoddedd yn H2O |
N/A |
|
Offeren Union |
39.976927 |
|
Offeren monoisotopig |
39.976927 |
|
|
|
ZrO2/Y2O3 |
ZrO2/MgO |
MgO |
SiC |
Si3N4 Adwaith wedi'i sintro |
Si3N4 Wedi'i wasgu'n boeth |
ADY |
|
Priodweddau ffisegol |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Dwysedd (g/cm3) |
3,9 |
5,9 |
5,75 |
3,58 |
3,2 |
3,27 |
3,29 |
3,26 |
|
Pwysau moleciwlaidd (g/man geni) |
102 |
- |
- |
40,4 |
40,1 |
140 |
140 |
41 |
|
Aer tymheredd gwasanaeth uchaf ( gradd ) |
1700- 1800 |
1500 |
1000 |
2200 |
1500 |
1200- 1500 |
1100- 1600 |
1000- 1800 |
|
Priodweddau mecanyddol |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Caledwch (Mohs) |
9 |
- |
- |
5,5 |
9 |
- |
- |
7 |
|
Modwlws elastigedd (GPa) |
300-400 |
200 |
200 |
250-300 |
420 |
170-220 |
280-310 |
318 |
|
Cymhareb Poisson |
0,25 |
- |
- |
0,18 |
0,14 |
0,25-0,26 |
0,27 |
0,25 |
|
Gwydnwch torri asgwrn (MPa.m1/2) |
2-3 |
7-13 |
6-10 |
- |
2,5-3,5 |
3,5-5 |
6,1 |
4,5 |
|
Priodweddau trydanol |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Cyson dielectrig |
9-10 |
- |
- |
9-10 |
- |
10 |
10 |
9,2 |
|
Gwrthedd trydanol ar 20 gradd (Ohm. cm) |
>10 14 |
10 13-10 14 |
>10 10 |
- |
10 2-10 6 |
>10 7 |
10 12- 10 15 |
>10 14 |
|
Cryfder dielectrig (kV/mm) |
10-20 |
9 |
2-10 |
- |
- |
- |
- |
15 |
|
Priodweddau thermol |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Gwres penodol (J/K/kg) |
900 |
400-500 |
420 |
870-880 |
750 |
690 |
680-800 |
800 |
|
Dargludedd thermol (W/m/K) ar 20 gradd |
26-35 |
2,2-3,2 |
1,5-2,5 |
40-50 |
63-155 |
9-30 |
15-43 |
180 |
|
Cyfernod ehangu thermol (10-6) o 20 i 1000 gradd |
8-9 |
10-11 |
5-16 |
10-13 |
4-5 |
3 |
3,3 |
4,4-5,3 |
|
ymdoddbwynt ( gradd ) |
2050 |
2590 |
- |
2800 |
2500 |
1900 |
1900 |
2200 |
manteision taflen AGRM silicon carbid
1. caledwch hynod o uchel
2. sy'n gwrthsefyll traul
3. gwrthsefyll cyrydiad
4. Pwysau Ysgafn – Dwysedd Isel
5. dargludedd thermol uchel
6. Modwlws High Young
7. Cyfernod ehangu thermol isel
8. Yn gemegol ac yn thermol gwrthsefyll
9. Gwrthiant sioc thermol rhagorol
10. Mynegai plygiannol yn fwy na diemwnt
gwneuthuriad taflen silicon carbid
Mae dalennau silicon carbid fel arfer yn cael eu cynhyrchu trwy brosesau fel:
Sintering: Mae SiC powdr yn cael ei wasgu i siâp dymunol ac yna ei gynhesu i dymheredd uchel mewn ffwrnais.
Dyddodiad Anwedd Cemegol (CVD): Proses gemegol cyfnod nwy sy'n dyddodi deunydd solet o anwedd i gynhyrchu SiC purdeb uchel a pherfformiad uchel.
argaeledd taflen silicon carbid
Daw taflenni SiC mewn gwahanol raddau, trwch a meintiau i fodloni gofynion penodol. Gellir eu cyrchu gan weithgynhyrchwyr sy'n arbenigo mewn cerameg uwch a deunyddiau lled-ddargludyddion.
Wrth ddewis taflen carbid silicon ar gyfer cais penodol, ystyriwch yr eiddo mecanyddol gofynnol, ymwrthedd thermol a chemegol, a'r amodau amgylcheddol y bydd yn agored iddynt.

FAQ
C: A yw'r pris yn Gystadleuol?
C: A yw'r cynhyrchion o Ansawdd Uchel?
Tagiau poblogaidd: taflen silicon carbid, gweithgynhyrchwyr taflen silicon carbid Tsieina, cyflenwyr, ffatri
